整流桥开关降低尖峰电压的方法（六）专“芯”让您更放心

整流桥开关降低尖峰电压方法

①减小主电路分布电感，采用铜排代替导线，走线要尽量短，结构布局要合理。经过结构改造和重新走线之后，IGBT和尖峰电压均有所降低；

②在主电路中应尽量选取漏感小的高频变压器以减少续流能量；

③降低吸收回路电感。吸收回路中的电阻可采用多个电阻并联的方法，这样既能增加电阻的功率，又可减小电阻的电感；

④消除共模干扰。

整流桥中电路共模干扰的避免



在电路共模干扰也可能加强整流桥尖峰电压，造成整流二极管击穿损坏。在电路实际调试过程中，下半桥的二极管在关断时被反向击穿。通过示波器观察发现，下半桥 VD_R2，VD_R4的尖峰电压总是高于上半桥 VD_R1，VD_R3尖峰电压。图 9示出直流负载与交流系统共地情况下的等效电路图。由等效电路图可见，系统输入与负载共地，它们之间存在一个共模干扰。输入和负载通过变压器和电路中的等效电容和等效电感形成了一个回路，在运行期间，产生了谐振，VD_R2和 VD_R4就处在该回路之中。所以，谐振对 VD_R2和 VD_R4产生了影响，使它们的尖峰电压总是高于 VD_R1和 VD_R3的尖峰电压。



为了消除这种共模干扰，在三相输入和三相整流桥之间加上一个隔离变压器。图 10示出其等效电路图。如此，隔离变压器也会起到电容的作用，在谐振回路中相当于串连了两个等效电容 C_t1和 C_t2。因此谐振对 VD_R2和 VD_R4影响也会大大减小。在加入隔离变压器后，通过示波器可见 VD_R2和 VD_R4的尖峰电压与 VD_R1和 VD_R3尖峰电压基本相等，达到了预期效果。

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