高压整流桥技术的发展历程，ASEMI带您了解

高压整流桥的发展经历了三个阶段，下面我们来分别为大家讲一下：


第一阶段，整流桥的技术革新时代，2000年之后，整流桥的高压需求变得越来越紧迫，同时

随着工业技术的不断发展，高压技术的研究也取得了突破性的进展，采用了新的工艺制造水

平，不仅使得成本大大降低，提高了高压整流桥的普及率，而且芯片的性能也趋于稳定，自

此之后，整流桥的耐压普遍由400V以下，变为1000V以上甚至是1600V，可以直接接在家用电

源或者是工业电源上，而不需要再提供前端的变压器


第二阶段，技术革新之后，人们开始寄希望于开发出更高耐压的二极管桥堆，同时随着技术

的不断改进，二极管芯片离散性一致的提高，人们开始使用多个二个管串联的方式开来提高

整流桥堆产品的耐压，当然，这些都是建立在整流桥堆内部芯片的可以保证一致的前提下，

整流桥的耐压也提高到了近1W的耐压。


第三阶段，也就是2010年之后，研究人员发现，技术上的改进已无法使得普通的二极管获得

更高的耐压，而新材料的出现为高压整流桥带来了新的转机，这是目前所有人都在攻克的一

项技术，虽然到目前为止，接近10000V的高压二极管已经出现，但其高昂的成本，使得它暂

时无法广泛应用于现有的工业当中，相信在不久的将来，这一难题会得到根本的解决

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